신소재工學-박막工學 pvd cvd 보고서
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작성일 19-09-25 15:32
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막
박
_SLIDE_5_
Physical Vapor Deposition
진공 중에서 금속을 기화시켜 기판에 증착.
vaporation
E
1. 증착 하려는 source material을 도가니에 넣고 가열.
2. Source material이 기체상태가 되어 기판의 표면에 충돌.
3. 충돌된 기체상태의 금속원자가 기판에 증착됨.
Hermal Evaporation
T
-beam Evaporation
E
_SLIDE_6_
Physical Vapor Deposition
높은 에너지를 갖는 미립자들에 의한 충돌에 의해 target이라 불리는
물질의 표면으로부터 떨어져 나오는 원자를 증착.
puttering
S
_SLIDE_7_
Physical Vapor Deposition
기체 상태에서 계속 가열하면, 이온핵과 자유전자로 이루어진 입자들의 집합체가 만들어지는데 이를 Plasma라 하며 전기적으로 중성상태를 지닌다. 또한 고체, 액체, 기체와 더불어 제 4의 물질상태 라고도 불리기도 한다.신소재工學-박막工學 pvd cvd 보고서
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_SLIDE_1_
소재공정實驗
PVD 와 CVD
PVD 와 CVD
PVD 와 CVD
2010학년 2학기
Thin film Process and analysis
Thin film Process and analysis
Thin film Process and analysis
_SLIDE_2_
구 성
원리 및 종류 그리고 특징
1
PVD
원리 및 종류 그리고 특징
2
CVD
2/16
_SLIDE_3_
Thin Film Application
_SLIDE_4_
Thin Film
부피대비 표면적 비율이 높은 막을 의미하며 ㎚ ~ ㎛ 단위를 지닌다.
lasma
P
_SLIDE_8_
Physical Vapor Deposition
Vaporation
E
EVAPORATION
SPUTTERING
low energy atoms
higher energ…(skip)
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설명
다.
막
박
_SLIDE_5_
Physical Vapor Deposition
진공 중에서 금속을 기화시켜 기판에 증착.
vaporation
E
1. 증착 하려는 source material을 도가니에 넣고 가열.
2. Source material이 기체상태가 되어 기...
_SLIDE_1_
소재공정實驗
PVD 와 CVD
PVD 와 CVD
PVD 와 CVD
2xxx학년 2학기
Thin film Process and analysis
Thin film Process and analysis
Thin film Process and analysis
_SLIDE_2_
구 성
원리 및 종류 그리고 특징
1
PVD
원리 및 종류 그리고 특징
2
CVD
2/16
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Thin Film Application
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Thin Film
부피대비 표면적 비율이 높은 막을 의미하며 ㎚ ~ ㎛ 단위를 지닌다.
