[전자회로실험] NMOS 증폭기 결과
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작성일 19-05-31 17:11
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<공통 - 드레인 증폭기>
설명
[전자회로실험] NMOS 증폭기 결과
순서
실험.NMOS 증폭기 1.Orcad 결과 <공통 - 소스 증폭기> 1) 입력 및 출력 전압 파형 -회로-
→ Av = Vo(peak) / Vi(peak) = 420 mV / 520 mV = 0.807 V
이번 experiment(실험)은 NMOS 증폭기에 대한 experiment(실험)이었다.
4. 고찰
→ Vi = 520mV
1) 전압 이득 구하기
→ Vt = 520mV
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<공통 - 소스 증폭기>
전자회로실험,NMOS 증폭기 결과
실험.NMOS 증폭기
레포트 > 자연과학계열
→ it = 0.371mA (rms) * = 0.524mA
3) 출력 저항 구하기
2) 입력 저항 구하기
측정(measurement) 하는 experiment(실험) 이었다.
1) 입력 및 출력 전압 파형
다. 증폭기의 속성 에 따라서 증폭도의 차이가 다소 있음을 알 수 있었고 experiment(실험) 값들이 理論(이론) 값에 비해 그리 크지 않은 차이를 나타내었다.
1.Orcad 결과
→ ii = 0.008mA (rms) * =0.011mA
experiment(실험) 할 당시에 회로를 꾸미고 오실로스코프로 파형을 측정(measurement)하려고 할 때
-회로-
NMOS 증폭기의 공통-소스 증폭기, 공통 - 게이트 증폭기, 공통 - 드레인 증폭기의 속성 에 대한 입,출력 전압 파형 측정(measurement) 및 입력 저항과 출력 저항을
→ Ri = Vi / ii = 47.272kΩ
→ Ro = Vt / it = 0.992Ω
experiment(실험)을 하면서 증폭기가 어디에 사용 되는지에 관련되어 배울 수 있던 좋은 경험이었다. 다음부터는 이런 실수를 하지 않을 것이다. 조교 선생님께 물어봐서 해결 할 수 있었다.
오실로스코프의 프로브를 전용 프로브를 사용하지 않아서 처음에 파형이 나오지 않았고, 프로브에서 X1로 해야하는데 X10으로 놓고 했더니 파형이 나오질 않았다.